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    • 专利摘要:
    Die Erfindung betrifft ein Kopplungssubstrat (3) für Halbleiterbauteile mit einer strukturierten Metallschicht (4) auf einer Oberseite (5) eines isolierenden Trägers (6). Über den isolierenden Träger (6) ragen Metallbahnen (7) hinaus, die an den Seitenkanten (8, 9) des Trägers (6) in Richtung auf die Unterseite (10) des Trägers (6) abgewinkelt sind und über die Unterseite (10) des Trägers (6) hinausragen. Die Metallbahnen (7) weisen eine Metallbeschichtung (11) auf, sodass ihr Querschnitt derart vergrößert wird, dass die Metallbahnen (7) formstabile Flachleiteraußenkontakte (12) des Kopplungssubstras (3) bilden.
    公开号:DE102004012979A1
    申请号:DE102004012979
    申请日:2004-03-16
    公开日:2005-10-13
    发明作者:Jens Pohl
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:H01L23-498
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft ein Kopplungssubstrat mit einem isolierendenTrägerund einer strukturierten Metallschicht für Halbleiterbauteile und Verfahren zurHerstellung desselben.
    [0002] DerartigeKopplungssubstrate oder Zwischensubstrate werden auch "Interposer" genannt und können übereinandergestapelte Halbleiterbauteile oder Halbleiterchips verbinden. Diese "Interposer" basieren teilweiseauf einem Flachleiterrahmen, der in Streifen angeordnet mehrereKopplungssubstrate aufnimmt und einen Metallquerschnitt bereitstellt,der dem Flachleiterrahmen eine ausreichende Stabilität für eine selbsttragendeStruktur verleiht. Die Halbleiterchips sind an dem Flachleiterrahmen über Bonddrähte oderFlipchip-Kontakte befestigt, was zum Ausfällen, insbesondere beim Verpackenderartiger Halbleiterbauteile zu Halbleiterstapeln oder Halbleitermodulen,führt.
    [0003] Wenndie zu stapelnden Halbleiterbauteile auf einer derartigen Flachleiterkonstruktionbasieren, oder auf einer Konstruktion mit einem Umverdrahtungssubstrat,so sind die zentralen Bereiche durch Halbleiterchips belegt undein Verbinden der gestapelten Bauteile untereinander ist nur über dieRandbereiche der zu stapelnden Bauteile möglich. Folglich ist das Anordnungsmusterfür Außenkontakte, zumindestdes oberen Halbleiterbauteils, konstruktiv auf die Randbereicheeingeschränkt.
    [0004] AndereLösungen,wie sie beispielsweise aus der Druckschrift DE 101 38 278 bekannt sind, schlagenvor, flexible Folien als "Interposer" einzusetzen. Diesehaben den Nachteil, dass sie mit einer Folienfläche auf dem Halbleiterbauteiloder dem Halbleiterchip flächigfixiert werden müssenund zum nächstenNachbarn in einem Stapel hin halbkreisförmig gebogen sind, was dasRisiko einer Verbindungsunterbrechung durch Mikrorisse erhöht. Zumindestergibt sich daraus kein stabiler Stapelaufbau, was die Zuverlässigkeitdes Halbleitermoduls beeinträchtigt.
    [0005] Aufgabeder Erfindung ist es, ein Kopplungssubstrat und ein Verfahren zurHerstellung desselben anzugeben, das die Nachteile im Stand derTechnik überwindetund ein Stapeln von Halbleiterbauteilen mit unterschiedlichen Anordnungsmusternder Außenkontakteder zu stapelnden Halbleiterbauteile ermöglicht. Ferner ist es Aufgabeder Erfindung, den Raumbedarf und den Flächenbedarf eines Halbleitermodulszu minimieren.
    [0006] Gelöst wirddiese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungender Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
    [0007] Erfindungsgemäß wird einKopplungssubstrat fürHalbleiterbauteile geschaffen, das eine strukturierte Metallschichtauf einer Oberseite eines isolierenden Trägers aufweist. Die strukturierteMetallschicht weist Metallbahnen auf, die über die Seitenkanten des Trägers hinausragenund rechtwinklig zur Oberseite in Richtung auf die Unterseite desTrägers abgewinkeltsind. Dabei könnendie Metallbahnen überdie Unterseite hinausragen. Diese über die Seitenkanten des Trägers hinausragendenMetallbahnen weisen eine Metallbeschichtung auf, mit der eine derartigeDicke des Querschnitts erreicht wird, dass die Metallbahnen formstabileFlachleiteraußenkontaktedes Kopplungssubstrats bilden. Überdiese formstabilen Flachleiteraußenkontakte steht das Kopplungssubstratmit einem Halbleiterbauteil in Verbindung, das unter dem Kopplungssubstratund innerhalb der Flachleiteraußenkontakteangeordnet ist.
    [0008] Einderartiges Kopplungssubstrat hat den Vorteil, dass das Halbleiterbauteilunterhalb des Kopplungssubstrats ein beliebiges Anordnungsmusterseiner Außenkontakteaufweisen kann und auf ein vom Kopplungssubstrat unabhängiges Schaltungssubstrataufgebracht sein kann. Dieses Schaltungssubstrat kann zu einer übergeordnetenLeiterplatte gehörenoder kann eine Umverdrahtungsplatte des mit dem Kopplungssubstratzu verbindenden Halbleiterbauteils darstellen. Darüber hinaushat das Kopplungssubstrat den Vorteil, dass die strukturierte Metallschichtauf der Oberseite des isolierenden Trägers beliebig gestaltet werdenkann und somit ein Anordnungsmuster für Außenkontaktflächen aufweisen kann,die einem Anordnungsmuster von Außenkontakten eines zu stapelndenHalbleiterbauteils angepasst sind.
    [0009] Ineiner bevorzugten Ausführungsformder Erfindung sind die Flachleiteraußenkontakte des Kopplungssubstratsund das Halbleiterbauteil auf einer Oberseite des Verdrahtungssubstratsangeordnet. Überdieses Verdrahtungssubstrat sind die Flachleiteraußenkontaktedes Kopplungssubstrats und des Halbleiterbauteils, das unterhalbdes Kopplungssubstrats angeordnet ist, elektrisch miteinander verbunden.Das hat den Vorteil, dass das Kopplungssubstrat in Verbindung mitdem Halbleiterbauteil und dem Verdrahtungssubstrat ein Halbleiterbasisbauteil für einenHalbleiterstapel bilden kann. Dieses Halbleiterbasisbauteil istuniversell einsetzbar, zumal das von der strukturierten Metallschichtdes Kopplungssubstrats angebote ne Anordnungsmuster, unterschiedlichenzu stapelnden Halbleiterbauteilen angepasst werden kann.
    [0010] Ineiner weiteren Ausführungsformder Erfindung ist nicht das Halbleiterbauteil unterhalb des Kopplungssubstratsangeordnet, sondern es ist vielmehr auf der Unterseite des isolierendenTrägers eineVerdrahtungsstruktur angebracht, die ihrerseits einen Halbleiterchipmit dem Kopplungssubstrat verbindet. In Verbindung mit diesem Halbleiterchipstellt nun das Kopplungssubstrat ein Halbleiterbasisbauteil dar,das unabhängigvon einem zusätzlichenVerdrahtungssubstrat füreinen Stapel aus Halbleiterbauteilen eingesetzt werden kann. Indiesem Fall ist es von Vorteil, wenn das Halbleiterbauteil ein Halbleiterchipist, der mit Flipchip-Kontakten mit der Verdrahtungsstruktur aufder Unterseite des isolierenden Trägers elektrisch in Verbindungsteht. In diesem Fall wird ein sehr kompaktes und in seinem Raumbedarf minimiertesHalbleiterbasisbauteil mit dem erfindungsgemäßen Kopplungssubstrat geschaffen.
    [0011] Weiterhinkann das unter dem Kopplungssubstrat angeordnete Halbleiterbauteilein Halbleiterbauteil mit oberflächenmontierbarenAußenkontaktenaufweisen. Derartige oberflächenmontierbareAußenkontaktekönnenaus einer Lotschicht bestehen, mit der das Halbleiterbauteil entwederauf eine Verdrahtungsstruktur auf der Unterseite des isolierenden Trägers oderauf einer Verdrahtungsstruktur eines übergeordneten Schaltungsträgers angeordnetist.
    [0012] Ineiner weiteren Ausführungsformder Erfindung weist das Kopplungssubstrat auf seiner Oberseite Außenkontaktflächen auf,die von einer Lötstoppschichtumgeben sind und ein Anordnungsmuster für Außenkontakte eines zu stapelndenHalblei terbauteils aufweisen. Mit der Lötstoppschicht wird in vorteilhafterWeise gewährleistet,dass bei einem Lötvorgangbeispielsweise beim Anbringen eines zu stapelnden Halbleiterbauteilsauf der Oberseite des Kopplungssubstrats die strukturierte Metallschicht nurim Bereich der Außenkontaktflächen mitLötmaterialbenetzt wird und kein Lot auf die übrige Metallstruktur kommt.
    [0013] Weiterhinist es vorgesehen, dass die Flachleiteraußenkontakte des Kopplungssubstratsaus verstärktenMetallbahnen überLeiterbahnen der strukturierten Metallschicht mit den Außenkontaktflächen aufder Oberseite des Kopplungssubstrats elektrisch in Verbindung stehen.Diese Ausführungsform derErfindung hat den Vorteil, dass lediglich die Metallbahnen, die über dieSeitenkanten des Trägershinausragen, mit einer Metallschicht verstärkt sind und auf der Oberseitedes Kopplungssubstrats in Leiterbahnen übergehen, die in ihrer Dickeder strukturierten Metallschicht entsprechen.
    [0014] Einweiterer Aspekt der Erfindung betrifft einen Kopplungssubstratstreifenmit in Zeilen und/oder Spalten angeordneten Kopplungssubstratpositionen. DieserKopplungssubstratstreifen weist eine strukturierte Metallschichtauf einer Oberseite eines isolierenden Trägerstreifens auf. Von der strukturierten Metallschichterstrecken sich Metallbahnen teilweise über Durchgangsöffnungenin Seitenbereichen der Kopplungssubstratpositionen und sind rechtwinklig zurOberseite des Trägerstreifensin Richtung auf die Unterseite des Trägerstreifens abgewinkelt. Diese Metallbahnenweisen eine Metallbeschichtung auf und bilden mit der Metallbeschichtungeine derartige Dicke ihres Querschnitts, dass sie formstabile Flachleiteraußenkontaktedes Kopplungssubstratstreifens an den Seitenrändern der Kopplungssubstratpositionensind.
    [0015] DerKopplungssubstratstreifen weist auf seiner Oberseite Außenkontaktflächen auf,die von einer Lötstoppschichtumgeben sind und ein Anordnungsmuster für Außenkontakte von zu stapelnden Halbleiterbauteilenbilden. Die Flachleiteraußenkontaktedes Kopplungssubstratstreifens sind über Leiterbahnen der strukturiertenMetallschicht mit den Außenkontaktflächen aufder Oberseite des Kopplungssubstratstreifens verbunden. Ein derartiger Kopplungssubstratstreifenkann zu Kopplungssubstraten aufgetrennt werden, indem entlang derZeilen und/oder entlang der Spalten der Kopplungssubstratstreifenin einzelne Kopplungssubstrate aufgetrennt wird.
    [0016] Vordem Auftrennen kann der Kopplungssubstratstreifen weiterhin auchmit einer Umverdrahtungsstruktur auf seiner Unterseite versehensein, sodass direkt Halbleiterchips mit Flipchip-Kontakten oderandere oberflächenmontierbareHalbleiterbauteile mit einer Verdrahtungsstruktur auf der Unterseitedes Kopplungssubstratstreifens verbunden werden können. BeimAuftrennen des Kopplungssubstratstreifens ergeben sich dann bereitskomplette Halbleiterbauteile, bzw. Halbleiterbasisbauteile, die für einenHalbleiterbauteilstapel einsetzbar sind.
    [0017] Einweiterer Aspekt der Erfindung sieht ein Halbleitermodul mit einemHalbleiterbasisbauteil vor, das ein Verdrahtungssubstrat mit Außenkontakten desHalbleitermoduls auf seiner Unterseite und mit einer Verdrahtungsstrukturmit einem Halbleiterchip auf seiner Oberseite und mit Kontaktanschlussflächen aufRandbereichen der Oberseite des Verdrahtungssubstrats aufweist.Auf den Kontaktanschlussflächenin den Randbereichen ist ein Kopplungssubstrat mit seinen Flachleiteraußenkontaktenangeschlossen, das auf seiner Oberseite Außen kontaktflächen für ein gestapeltesHalbleiterbauteil aufweist. Ein derartiges Halbleitermodul hat denVorteil, dass mithilfe des Kopplungssubstrats beliebig viele Halbleiterbauteileaufeinander gestapelt werden können, wobei über jedemHalbleiterbauteil ein weiteres Kopplungssubstrat anzuordnen ist,wenn dem Stapel weitere Halbleiterbauteile hinzugefügt werdensollen.
    [0018] Grundlageeines derartigen Halbleitermoduls ist ein Halbleiterbasisbauteilmit einem Kopplungssubstrat, wobei das Kopplungssubstrat Außenkontaktflächen für ein zustapelndes Halbleiterbauteil auf seiner Oberseite aufweist. Aufseiner Unterseite kann das Kopplungssubstrat auch eine Verdrahtungsstrukturtragen, die ihrerseits mit einem Halbleiterchip elektrisch verbundenist und überDurchkontakte und Verdrahtungsleitungen mit den Außenkontaktflächen aufder Oberseite des Kopplungssubstrats elektrisch in Verbindung steht.Das Halbleiterbasisbauteil stellt in seinen Seitenkanten, die bereitsoben erwähnten Flachleiteraußenkontaktezur Verfügung,die durch Verdicken von Metallbahnen, die über den Rand des Kopplungssubstratshinausragen, einen Querschnitt ausbilden, der die Flachleiteraußenkontakteformstabil verstärkt.
    [0019] EinVerfahren zur Herstellung eines Kopplungssubstratstreifens mit mehrerenKopplungssubstratpositionen weist die nachfolgenden Verfahrensschritteauf. Zunächstwird ein isolierender Trägerstreifenmit mehreren Kopplungssubstratpositionen hergestellt. Anschließend werdenin diesen TrägerstreifenDurchgangsöffnungenin Randbereichen der Kopplungssubstratpositionen eingebracht. DieBreite der Durchgangsöffnungenentspricht dabei mindestens der doppelten Länge der zu bildenden Flachleiteraußenkontakte.Anschließendwird eine geschlossene Metallschicht auf den Trägerstreifen aufgebracht, diegleich zeitig die Breite der Durchgangsöffnungen abdeckt. Diese Metallschichtwird anschließendstrukturiert und dabei werden Außenkontaktflächen aufder Oberseite des isolierenden Trägerstreifens und Metallbahnengebildet, welche die Breite der Durchgangsöffnungen überspannen.
    [0020] Inder Mitte der Durchgangsöffnungensind diese Metallbahnen entweder getrennt oder weisen eine Sollbruchstelleauf. Außerdemwird die Metallschicht derart strukturiert, dass Leiterbahnen aufder Oberseite des isolierenden Trägerstreifens die Metallbahnenmit den Außenkontaktflächen elektrisch verbinden.Die Metallbahnen werden überKurzschlussleiterbahnstückezu einer Busleitung des Trägerstreifenszusammengeführt.Anschließendwerden die Metallbahnen in den Durchgangsöffnungen in Richtung auf dieUnterseite des Trägerstreifensabgewinkelt. Danach wird die Metallstruktur der Oberseite des Trägerstreifensmit einer Schutzschicht unter Freilassen der Metallbahnen abgedeckt.
    [0021] DieseSchutzschicht soll bei dem anschließenden galvanischen Schrittdie Metallstruktur auf der Oberseite des Trägerstreifens vor einem Abscheidenvon Metall und einem Verdicken der Struktur schützen, während da Metallbahnen unterBilden von formstabilen Flachleiteraußenkontakten mit einer Metallbeschichtungversehen werden. In einem nachfolgenden Schritt wird die Schutzschichtzunächstnur zum Freilegen der Kurzschlussleiterbahnstücke entfernt und die Kurzschlussleiterbahnstücke werden ätztechnischoder mit einer Lasertechnik unterbrochen. Anschließend können dieAußenkontaktflächen unterder Schutzschicht freigelegt werden, sodass die Schutzschicht alsLötstoppschichtdienen kann, währendein freier Zugriff zu den Außenkontaktflächen möglich ist.Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass eine Vielzahl von Kopplungssub straten aufeinem isolierenden Trägerstreifenentstehen, der anschließendin einzelne Kopplungssubstrate auftrennbar ist.
    [0022] ImEinzelnen werden fürdie unterschiedlichen Verfahrensschritte unterschiedliche Techniken eingesetzt.Für dasEinbringen der Durchgangsöffnungin den Trägerstreifenwird eine Stanztechnik oder eine Ätztechnik bereitgestellt. DasAufbringen einer Metallschicht auf den Trägerstreifen kann mittels Aufklebeneiner Metallfolie durchgeführtwerden. Das Strukturieren dieser Metallschicht wird dann mittelseiner Fotolacktechnik in Verbindung mit Ätztechniken oder einer Abtragstechnikmittels Laserstrahl durchgeführt.Beim Einsatz von Photolithographie kann der strukturierte Fotolackdes Strukturierungsschrittes gleichzeitig als Lötstopplack eingesetzt werden.Das Abwinkeln der Metallbahnen vor oder auch nach einem Verdickenzu Flachleiteraußenkontakten kannmittels Abkantwerkzeugen erfolgen.
    [0023] ZumAufbringen einer Metallbeschichtung auf die Metallbahnen wird derTrägerstreifenin ein Galvanikbad getaucht und die Metallbahnen werden über dieKurzschlussleiterbahnstückemit einer Gleichstromelektrode des Galvanikbades verbunden. Dazuwerden die Metallbahnen als Kathode geschaltet, sodass sich dasMaterial der metallischen Anode des Galvanikbades auf den Metallbahnenals Beschichtung abscheidet, währenddie übrigeMetallstruktur durch die Schutzschicht vor einer derartigen Beschichtunggeschütztist. Vor einem Entfernen der Schutzschicht werden zunächst nurdie Kurzschlussleiterbahnstückefreigelegt und ätztechnischentfernt, währenddie übrigeStruktur auf der Oberseite des Trägerstreifens weiterhin durchdie Schutzschicht bedeckt bleibt. Erst nach dem Entfernen der Kurzschlussleiterbahnstücke werdendann auch die Außenkontaktflächen aufder Oberseite des Trägerstreifensfrei gelegt, sodass nun der fertige Kopplungssubstratstreifen zurHerstellung von Kopplungssubstraten zur Verfügung steht.
    [0024] ZurHerstellung eines Kopplungssubstrats wird dieser Kopplungssubstratstreifenentlang der Zeilen und/oder der Spalten zu einzelnen Kopplungssubstratenaufgetrennt.
    [0025] Mitderartigen Kopplungssubstraten können Halbleiterbasisbauteilfür einenStapel aus Halbleiterbauteilen hergestellt werden. Zu der Herstellungeines Halbleiterbasisbauteils werden nachfolgende Verfahrensschrittedurchgeführt.Zunächstwird parallel zur Herstellung eines Kopplungssubstrats auch einVerdrahtungssubstrat mit einem Halbleiterchip auf seiner Oberseiteund Kontaktanschlussflächen aufRandbereichen seiner Oberseite, sowie Außenkontaktflächen mitAußenkontaktenauf seiner Unterseite gefertigt. Anschließend wird das Kopplungssubstratauf das Verdrahtungssubstrat unter Auflöten der Flachleiteraußenkontaktedes Kopplungssubstrats auf entsprechende Kontaktanschlussflächen inden Randbereichen des Verdrahtungssubstrats aufgebracht. Da dasKopplungssubstrat auf seiner Oberseite Außenkontaktflächen aufweist,die ein Stapeln von weiteren Halbleiterbauteilen ermöglichen,ist somit ein Halbleiterbasisbauteil geschaffen, auf dem Halbleiterbauteilemit entsprechend angepassten Anordnungsmustern der Außenkontaktegestapelt werden können.Zur Herstellung eines Halbleitermoduls müssen dann lediglich auf einderartiges Halbleiterbasisbauteil entsprechende weitere Halbleiterbauteilemit ihren Außenkontaktenaufgebracht werden.
    [0026] Zusammenfassendist festzustellen, dass das erfindungsgemäße Kopplungssubstrat ermöglicht, über einemHalbleiterbauteil beliebiger Bauart ein weiteres Halbleiterbauteilmit beliebiger standardisierter Anordnung seiner oberflächenmontierbaren Außenkontakte,wie beispielsweise ein DRAM-Bauteil, anzuordnen. Dazu stellt dieErfindung einen "Interposer" zur Verfügung, dervergleichsweise preiswert herstellbar ist, zumal er in seiner Grundversion keinerleiDurchkontaktierungen erfordert. Die Herstellung von formstabilenFlachleiteraußenkontakten wirdfür den "Interposer", bzw. das Kopplungssubstrat,mit relativ preisgünstigenAbscheideverfahren erreicht.
    [0027] Mitdiesen Flachleiteraußenkontakten,die durch Metallbeschichten von Metallbahnen einer Metallschichterzeugt werden, könnenkleinere Schrittweiten oder auch "Pitch" genannt zwischen den Außenkontaktenerreicht werden als es bei einer Stapelverbindung über Lotbälle möglich ist.Außerdemsind die Leitungslängengegenüberder in der Einleitung erwähntenLösungmit flexiblen Folien kürzer,was die elektrischen Parameter im Hinblick auf Hochfrequenzeigenschaftenbzw. Hochgeschwindigkeitsschaltraten in Gigahertzbereich verbessert.
    [0028] DieErfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
    [0029] 1 zeigteinen schematischen Querschnitt durch ein Kopplungssubstrat einerAusführungsformder Erfindung;
    [0030] 2 zeigteine schematische Draufsicht auf einen Trägerstreifen;
    [0031] 3 zeigteine schematische Querschnittsansicht des Trägerstreifens der 2;
    [0032] 4 zeigteine schematische Draufsicht auf den Trägerstreifen der 1 mitaufgebrachter Metallfolie;
    [0033] 5 zeigteinen schematischen Querschnitt des Trägerstreifens der 4;
    [0034] 6 zeigteine schematische Draufsicht auf den Trägerstreifen der 4 mitstrukturierter Metallfolie;
    [0035] 7 zeigteinen schematischen Querschnitt des Trägerstreifens der 6;
    [0036] 8 zeigteine schematische Draufsicht auf den Trägerstreifen der 6 mitabgedeckter Metallstruktur;
    [0037] 9 zeigteinen schematischen Querschnitt durch den Trägerstreifen gemäß 8;
    [0038] 10 zeigteine schematische Draufsicht auf den Trägerstreifen der 8 mitverstärkten formstabilenFlachleiteraußenkontaktenund geschützterUmverdrahtungsstruktur;
    [0039] 11 zeigteinen schematischen Querschnitt durch den Trägerstreifen gemäß 10;
    [0040] 12 zeigteinen schematischen Querschnitt auf den Trägerstreifen nach einem Auftrennen desselbenin einzelne Kopplungssubstrate;
    [0041] 13 zeigteinen schematischen Querschnitt durch drei einzelne Kopplungssubstrategemäß 12;
    [0042] 14 zeigteinen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbasisbauteilfür einen Halbleiterstapelmit einem Kopplungssubstrat;
    [0043] 15 zeigteinen Querschnitt durch einen Halbleiterstapel mit einem Kopplungssubstrat.
    [0044] 1 zeigteinen schematischen Querschnitt durch ein Kopplungssubstrat 3 einerAusführungsformder Erfindung. Dieses Kopplungssubstrat 3 weist einen Träger 6 miteiner Unterseite 10 und einer Oberseite 5 auf.Auf der Oberseite 5 des Trägers 6 ist eine strukturierteMetallschicht 4 angeordnet, die ein Anordnungsmuster 19 vonAußenkontaktflächen 17 aufweist.Die Außenkontaktflächen 17 sindmit streifenförmigenin Richtung auf die Unterseite 10 abgewinkelten Metallbahnen 7 über Leiterbahnenauf der Oberseite 5 des Trägers 6 verbunden.Bei dieser und den nachfolgenden Figuren wird zwischen Metallbahnen 7,die überSeitenkanten 8 und 9 des Trägers 6 herausragenund in Richtung auf die Unterseite 10 abgewinkelt sindund den Leiterbahnen, die auf der Oberseite 5 zum Verbindender Metallbahnen 7 mit den Außenkontaktflächen 17 angeordnetsind, unterschieden. Die Dicke der Metallbahnen und die Dicke derLeiterbahnen, entsprechen der Dicke der Metallschicht 4 für die Außenkontaktflächen 17,zumal sie aus der Metallschicht 4 gemeinsam strukturiertwerden. Die Dicke der Metallschicht 4 wäre jedoch zu gering, um formstabileFlachleiteraußenkontakte 12 ausden Metallbahnen 7 zu bilden. Deshalb sind die abgewinkeltenMetallbahnen 7 mit einer Metallbeschichtung 11 versehen,sodass sie eine Dicke D zwischen 100 und 1000 μm aufweisen. Der Träger 6 selbstist aus einem isolierenden Kunststoff und bildet eine formstabileselbsttragende Platte.
    [0045] Zwischenden Außenkontaktflächen 17 ist aufder Oberseite 5 des Trägers 6 eineLötstoppschicht 18 angeordnet,welche die gesamte Oberfläche 5 bedecktund nur die Außenkontaktflächen 17 freigibt,sodass auf ihnen beispielsweise ein zu stapelndes Halbleiterbauteilmit seinen flächenmontierbarenAußenkontaktenaufgebracht werden kann.
    [0046] Die 2 bis 13 zeigenprinzipielle Skizzen von Zwischenprodukten bei der Herstellung einesKopplungssubstrats 3. Komponenten mit gleichen Funktionen,wie in 1, werden in den 2 bis 13 mitgleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
    [0047] 2 zeigteine schematische Draufsicht auf einen Trägerstreifen 22. DerTrägerstreifen 22 weistmehrere Kopplungssubstratpositionen 21 auf, in denen Kopplungssubstrateauf dem Trägerstreifen 22 mitHilfe der nachfolgenden Verfahrensschritte gebildet werden. Zwischenden Kopplungssubstratpositionen 21 weist der Trägerstreifen 22 langgestreckte Durchgangsöffnungen 23 mitSeitenkanten 8 und 9 auf. Zwischen den Seitenkanten 8 und 9 ergibtsich eine Breite b der Durchgangsöffnungen 23, die mindestenseiner doppelten Längel eines zu bildenden Flachleiteraußenkontaktes 12, wieer in 1 gezeigt wird, aufweist.
    [0048] 3 zeigteinen schematischen Querschnitt des Trägerstreifens 22 gemäß 2.Die Dicke w dieses Trägerstreifens 22 liegtzwischen 80 und 200 μmund ist aus einem Kunststoffmaterial mit eingebetteten Glasfasern,die dem Trägerstreifen 22 eineFormstabilitätverleihen. Die Durchgangsöffnungen 23 werdenin diesen Trägerstreifen 22 miteinem Stanzwerkzeug oder mit einem Laser- oder Wasserstrahlschneidverfahreneingebracht.
    [0049] 4 zeigteine schematische Draufsicht auf den Trägerstreifen 22 der 2 mitaufgebrachter Metallfolie 33, vorzugsweise aus Kupfer odereiner Kupferlegierung. Diese Metallfolie 33 wird auf denTrägerstreifen 22 geklebtund erstreckt sich dabei überdie Durchgangsöffnungen 23 desTrägers 6.
    [0050] 5 zeigteinen schematischen Querschnitt des Trägerstreifens 22 der 4.Diese Struktur mit einem Trägerstreifen 22,der Durchgangsöffnungen 23 aufweist,die von einer Metallfolie 33 bedeckt wird, kann auch dadurcherreicht werden, dass ein metallkaschierter Trägerstreifen 22 zurVerfügunggestellt wird, der bereits eine Metallschicht aufweist, wobei dieDurchgangsöffnungen 23 indem Trägerstreifen 22 durchAbtragen des Trägermaterialsin den Durchgangsöffnungen 23 erreichtwird. Dieser Abtrag kann durch Laserabtrag oder durch Trocken- oderNassätzungenerreicht werden. Dabei wird die Metallabdeckung 33, welchedie Durchgangsöffnungen 23 abdecktnicht abgetragen oder beschädigt
    [0051] 6 zeigteine schematische Draufsicht auf den Trägerstreifen 22 der 4 mitstrukturierter Metallfolie 33. Wird anstelle einer Metallfolie 33 ein kupferkaschierterTrägerstreifen 22 eingesetzt,so kann auch diese Kupferkaschierung als Metallschicht 4 ingleicher Weise wie die hier eingesetzte Metallfolie 33 strukturiertwerden. Charakteristisch fürdie Strukturierung ist, dass die Metallstruktur beispielsweise auseiner Kupferschicht Außenkontaktflächen 17 aufweist,die beispielsweise einen Lotball aufnehmen können und Leiterbahnen 20 besitzt,die auf der Oberseite 5 des Trägerstreifens 22 angeordnetsind.
    [0052] Über dieDurchgangsöffnungen 23 erstreckensich nach der Strukturierung Metallbahnen 7, die zunächst genausodünn sindwie die Metallfolie 33, bzw. die Metallschicht 4.Der Quer schnitt dieser Metallbahnen 7, die sich über dieDurchgangsöffnung 23 erstrecken,kann jedoch in der Mitte durch Einkerben vermindert sein, sodassdort eine Sollbruchstelle entsteht. Beim Abwinkeln der Metallbahnen 7 über denDurchgangsöffnungen 23 inRichtung auf die Unterseite 10 des Trägerstreifens 22 werdendie Metallbahnen mittig an der Sollbruchstelle zu abgewinkeltenMetallbahnen 7 getrennt.
    [0053] 7 zeigteinen schematischen Querschnitt des Trägerstreifens 22 der 6.Da die Metallschicht 4 zwischenzeitlich strukturiert ist,ist sie nicht mehr durchgängig über diegesamte Oberfläche 5 desTrägerstreifens 22 wiein 5 platziert, sondern nur noch an den Stellen vorhanden,an denen Leiterbahnen 20 oder Außenkontaktflächen 17 vorgesehensind.
    [0054] 8 zeigteine schematische Draufsicht auf den Trägerstreifen 22 der 6 mitabgedeckter Metallstruktur 4 und abgewinkelten Metallbahnen 7. DieBreite der Metallbahnen 7 kann klein gewählt werden,sodass eine geringere Schrittweite für die Metallbahnen 7 möglich istals die fürAußenkontakte vorgeseheneSchrittweite der Außenkontaktflächen 17.Die Kopplungssubstratpositionen 21 sind mit einer strukturiertenLötstoppschicht 18 abgedeckt,die einen Zugriff auf die Außenkontaktflächen 17 freilässt. DieseLötstoppschicht 18 schützt diein 7 gezeigten Leiterbahnen 20 vor einemBenetzen durch Lötmaterial.
    [0055] 9 zeigteinen schematischen Querschnitt durch den Trägerstreifen 22 gemäß 8. DerQuerschnitt durch den Trägerstreifen 22 zeigt, dassdie abgewinkelten Metallbahnen 7 eng an den Seitenkanten 8 und 9 derDurchgangsöffnungen 23 desTrägerstreifens 22 anliegen.Da die strukturierte Metall schicht 4 mit 2 bis 15 μm Dicke relativinstabil ist, werden die abgewinkelten Metallbahnen 7 von denSeitenkanten 8 und 9 des Trägerstreifens 22 gestützt. Siebilden jedoch noch keinen selbsttragenden und formstabilen Flachleiteraußenkontakt.
    [0056] 10 zeigteine schematische Draufsicht auf den Trägerstreifen 22 der 8 mitverstärkten formstabilenFlachleiteraußenkontakten 12.Währenddes Verdickens der Metallbahnen zu Flachleiteraußenkontakten 12 wirddie strukturierte Metallschicht 4 von einer in 11 gezeigtenSchutzschicht 32 auf der strukturierten Metallschicht 4,geschützt.Da die zu verdickenden Metallbahnen 7 bereits vereinzeltsind, sind auf der Oberseite 5 des Trägerstreifens 22 Kurzschlussleiterbahnstücke vorgesehen,die zu einem späterenZeitpunkt wieder abgeätztwerden. Diese Kurzschlussleiterbahnstücke verbinden elektrisch sämtlicheMetallbahnen 7 eines Trägerstreifens 22 undkönnengemeinsam an eine Kathode eines Galvanikbades angeschlossen werden,sodass sich das Anodenmaterial auf den Metallbahnen 7 abscheidet.Nach dem Abscheideprozess müssendiese Kurzschlussleiterbahnstückeentfernt, was einen zusätzlichenphotolithographischen oder auch einen zusätzlichen Abtragsschritt mittelseines Lasers erfordert.
    [0057] Beieinem alternativen Verfahren kann das vermieden werden, indem dasAbkanten und Trennen der Metallbahnen 7, die sich über dieDurchgangsöffnungen 23 desTrägerstreifens 22 erstrecken,erst vorgenommen wird, wenn bereits die Bereiche der Metallbahnen 7 gegenüber dennormalen Leiterbahnen der Metallstruktur durch galvanisches Abscheidenverstärktwurden. In diesem Fall entfällt dasVorsehen von Kurzschlussleiterbahnen auf der Oberseite 5 desTrägerstreifens 22 zwischenden Metallbahnen, da sie noch zusammenhängen. Jedoch sind dann Kurzschlussleiterbahnenzwischen den Außenkontaktflächen 17 erforderlich,die später zuentfernen sind.
    [0058] 11 zeigteinen schematischen Querschnitt durch den Trägerstreifen 22 gemäß 10. Durchdas Abscheiden der Metallbeschichtung 11 auf den abgewinkeltenMetallbahnen 7 bei gleichzeitigem Schutz der Metallstruktur 4 durchdie Schutzschicht 32 auf der Oberseite 5 des Trägerstreifens 22 werdendie Metallbahnen 7 derart verstärkt, dass sie formstabile Flachleiteraußenkontakte 12 einerLänge lbilden.
    [0059] 12 zeigteine schematische Draufsicht auf den Trägerstreifen 22 der 10 nacheinem Auftrennen desselben in einzelne Kopplungssubstrate 3.
    [0060] 13 zeigteinen schematischen Querschnitt durch drei einzelne Kopplungssubstrate 3 gemäß 12.Mit diesem Kopplungssubstrat 3 können nun beliebige Stapel ausunterschiedlichen Halbleiterbauteilen zusammengebaut werden, wobeizwischen den Halbleiterbauteilen jeweils ein derartiges Kopplungssubstrat 3 vorzusehenist.
    [0061] 14 zeigteinen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbasisbauteil 26 für einen Halbleiterstapelmit Kopplungssubstrat 3. Das Kopplungssubstrat 3 bildethier die Oberseite des Halbleiterbasisbauteils 26 und weistdie gleiche Struktur auf, die schon in 1 gezeigtwurde. Das Halbleiterbasisbauteil 26 weist darüber hinausein Verdrahtungssubstrat 14 mit einer Oberseite 13 auf,die Kontaktanschlussflächen 29 inRandbereichen 30 und 31 aufweist. Auf diesen Kontaktanschlussflächen 29 istdas Kopplungssubstrat 3 mit seinen Flachleiteraußenkontakten 12 aufgelötet. Unterdem Kopplungssubstrat 3 ist bei diesem Halbleiterbasisbauteil 26 einin eine Kunststoffmasse 35 eingebettetes Halbleiterchip 28 angeordnet.Dieser Halbleiterchip kann auch ein Halbleiterchip in Flip-Chip-Technikmit und ohne umgebende Kunststoffmasse sein. Der Halbleiterchip 28 istmit dem Verdrahtungssubstrat 14 über Bondverbindungen 36 elektrischverbunden.
    [0062] Aufder Unterseite 27 des Verdrahtungssubstrats 14 sindAußenkontakte 15 aufAußenkontaktflächen 34 inForm von Lotbällenangeordnet. Diese Außenkontakte 15 stehen über Durchkontakte 37 sowohlmit den Kontaktflächen 38 desHalbleiterchips 28, als auch mit den Flachleiteraußenkontakten 12 desKopplungssubstrats 3 elektrisch in Verbindung. Auf diesesHalbleiterbasisbauteil 26 können aufgrund des erfindungsgemäßen Kopplungssubstrats 3 oberflächenmontierbareHalbleiterbauteile mit unterschiedlichen Anordnungsmustern ihrerAußenkontakteangeordnet werden.
    [0063] 15 zeigteinen schematischen Querschnitt durch einen Halbleiterstapel 25 miteinem Kopplungssubstrat 3. Der Halbleiterstapel 25 weist einHalbleiterbasisbauteil 26 auf, wie es bereits in 14 gezeigtwird, und auf den Außenkontaktflächen 17 desKopplungssubstrates 3 ist ein gestapeltes Halbleiterbauteil 39,das einen internen Halbleiterchipstapel 40 aufweist, angeordnet.Dieser interne Halbleiterchipstapel 40 ist über Bondverbindungen 41 und 42 mitden Außenkontakten 16 desgestapelten Halbleiterbauteils 39 verbunden. Der interne Halbleiterchipstapel 40 mitden Bondverbindungen 41 und 42 ist in eine Kunststoffmasse 43 einesKunststoffgehäuses 44 eingebettet.Das Kopplungssubstrat 3 verbindet somit die Kontaktflächen 38, 44,und 47 von drei Halbleiterchips 28, 48,und 49, und ermöglicht,dass die Außenkontakte 16 desgestapelten Halbleiterbauteil 39 als oberes Halbleiterbauteil 2 desHalbleiterbauteilstapels 39 über Außenkontaktflächen 17 desKopplungssubstrats 3 mit Außenkontakten 15 desunteren Halbleiterbauteils 1 über die Flachleiteraußenkontakte 12 desKopplungssubstrats 3 miteinander kommunizieren.
    1 Halbleiterbauteil 2 Halbleiterbauteil 3 Kopplungssubstrat 4 Metallschicht 5 Oberseite 6 Träger 7 Metallbahnen 8 Seitenkante 9 Seitenkante 10 Unterseite 11 Metallbeschichtung 12 Flachleiteraußenkontakt 13 Oberseiteeines Verdrahtungssubstrats 14 Verdrahtungssubstrat 15 Außenkontakt 16 Außenkontakt 17 Außenkontaktflächen desKopplungssubstrats 18 Lötstoppschicht 19 Anordnungsmuster 20 Leiterbahn 21 Kopplungssubstratposition 22 Trägerstreifen 23 Durchgangsöffnung 24 Kopplungssubstratstreifen 25 Halbleitermodul 26 Halbleiterbasisbauteil 27 Unterseitedes Verdrahtungssubstrats 28 Halbleiterchip 29 Kontaktanschlussflächen 30 Randbereich 31 Randbereich 32 Schutzschicht 33 Metallfolie 34 Außenkontaktfläche 35 Kunststoffmasse 36 Bondverbindung 37 Durchkontakt 38 Kontaktflächen desHalbleiterchips 28 des un terenHalbleiterbauteils 1 39 gestapeltesHalbleiterbauteil 40 Halbleiterchipstapel 41 Bondverbindung 42 Bondverbindung 43 Kunststoffmasse 44 Kunststoffgehäuse 46 Kontaktflächen desunteren Halbleiterchips desinternen Halbleiterchipstapels 40 47 Kontaktflächen desoberen Halbleiterchips des internenHalbeiterchipstapels 40 48 unteresHalbleiterchip des oberen Halbleiter bauteils 2 49 oberesHalbleiterchip des oberen Halbleiter bauteils 2 b Breiteder Durchgangsöffnung D Dickedes Querschnitts l Länge derFlachleiteraußenkontakte
    权利要求:
    Claims (27)
    [1] Kopplungssubstrat für Halbleiterbauteile (1, 2) miteiner strukturierten Metallschicht (4) auf einer Oberseite(5) eines isolierenden Trägers (6), wobei Metallbahnen(7) der strukturierten Metallschicht (4) über dieSeitenkanten (8, 9) des Trägers (6) hinausragenund rechtwinklig zur Oberseite (5) in Richtung auf dieUnterseite (10) des Trägers(6) abgewinkelt sind und über die Unterseite (10)hinausragen, wobei die Metallbahnen (7) eine Metallbeschichtung(11) aufweisen und mit der Metallbeschichtung (11)eine derartige Dicke (D) des Querschnitts aufweisen, dass sie formstabileFlachleiteraußenkontakte(12) des Kopplungssubstrats (3) sind, über welcheeine elektrische Kopplung des Kopplungssubstrats (3) miteinem Halbleiterbauteil (1), das unter dem Kopplungssubstrat(3) und innerhalb der Flachleiteraußenkontakte (12) angeordnetist, besteht.
    [2] Kopplungssubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Flachleiteraußenkontakte (12)des Kopplungssubstrats (3) und das Halbleiterbauteil (1)auf einer Oberseite (13) eines Verdrahtungssubstrats (14)angeordnet sind.
    [3] Kopplungssubstrat nach Anspruch 1 oder Anspruch 2,dadurch gekennzeichnet, dass das Kopplungssubstrat (3)auf der Unterseite (10) des isolierenden Trägers (6)eine Verdrahtungsstruktur aufweist, die ein Halbleiterchip trägt.
    [4] Kopplungssubstrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass das Halbleiterbauteil (1) ein Halbleiterchipmit Flipchip-Kontakten ist.
    [5] Kopplungssubstrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass das Halbleiterbauteil (1, 2)ein Halbleiterbauteil (1, 2) mit oberflächenmontierbarenAußenkontakten(15, 16) aufweist.
    [6] Kopplungssubstrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass das Kopplungssubstrat (3) auf seinerOberseite (5) Außenkontaktflächen (17)aufweist, die von einer Lötstoppschicht(18) umgeben sind, und ein Anordnungsmuster (19)für Außenkontakte(16) eines zu stapelnden Halbleiterbauteils (2)aufweisen.
    [7] Kopplungssubstrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurchgekennzeichnet, dass die Flachleiteraußenkontakte (12) desKopplungssubstrats (3) überLeiterbahnen (20) der strukturierten Metallschicht (4)mit Außenkontaktflächen (17) aufder Oberseite (5) des Kopplungssubstrats (3) elektrischin Verbindung stehen.
    [8] Kopplungssubstratstreifen mit in Zeilen und/oderSpalten angeordneten Kopplungssubstratpositionen (21),mit einer strukturierten Metallschicht (4) auf einer Oberseite(5) eines isolierenden Trägerstreifens (22),wobei Metall bahnen (7) der strukturierten Metallschicht(4) sich teilweise überDurchgangsöffnungen(23) in Seitenbereichen der Kopplungssubstratpositionen(21) erstrecken und rechtwinklig zur Oberseite (5)des Trägerstreifens(22) in Richtung auf die Unterseite (10) abgewinkeltsind und überdie Unterseite (10) hinausragen, wobei die Metallbahnen (7)eine Metallbeschichtung (11) aufweisen und mit der Metallbeschichtung(11) eine derartige Dicke (D) des Querschnitts aufweisen,dass sie formstabile Flachleiteraußenkontakte (12) desKopplungssubstratstreifens (24) an den Seitenrändern derKopplungssubstratpositionen (21) sind.
    [9] Kopplungssubstratstreifen nach Anspruch 8, dadurchgekennzeichnet, dass der Kopplungssubstratstreifen (24)in den Kopplungssubstratpositionen (21) auf seiner Oberseite(5) Außenkontaktflächen (17)aufweist, die von einer Lötstoppschicht(18) umgeben sind und ein Anordnungsmuster (19)für Außenkontakte(16) eines zu stapelnden Halbleiterbauteils (2)aufweist.
    [10] Kopplungssubstratstreifen nach Anspruch 8 oder Anspruch9, dadurch gekennzeichnet, dass die Flachleiteraußenkontakte(12) des Kopplungssubstrats (3) über Leiterbahnen(20) der strukturierten Metallschicht (4) mitAußenkontaktflächen (17)auf der Oberseite (5) des Kopplungssubstrats (3)in Verbindung stehen.
    [11] Kopplungssubstratstreifen nach einem der Ansprüche 8 bis10, dadurch gekennzeichnet, dass der Kopplungssubstratstreifen (24)auf der Unterseite (10) des isolierenden Trägerstreifens(22) in den Kopplungssubstratpositionen (21) Verdrahtungsstrukturenaufweist, die Halbleiterchips tragen.
    [12] Kopplungssubstratstreifen nach einem der Ansprüche 8 bis11, dadurch gekennzeichnet, dass der Kopplungssubstratstreifen (24)in den Kopplungssubstratpositionen (21) auf seiner Unterseite (10)Halbleiterbauteile mit oberflächenmontierbaren Außenkontaktenaufweist.
    [13] Kopplungssubstratstreifen nach einem der Ansprüche 8 bis12, dadurch gekennzeichnet, dass der Kopplungssubstratstreifen (24)in den Kopplungssubstratpositionen (21) auf seiner Unterseite (10)Halbleiterchips mit Flipchip-Kontakten aufweist.
    [14] Halbleitermodul mit einem Halbleiterbasisbauteil(26), das ein Verdrahtungssubstrat (14) mit Außenkontakten(15) des Halbleiterstapels (25) auf seiner Unterseite(27) und mit einer Verdrahtungsstruktur mit einem Halbleiterchip(28) auf seiner Oberseite (13) und mit Kontaktanschlussflächen (29) aufRandbereichen (30, 31) der Oberseite (13),wobei auf den Kontaktanschlussflächen(29) ein Kopplungssubstrat (3) mit seinen Flachleiteraußenkontakten(12) angeschlossen ist, dass auf seiner Oberseite (5)Außenkontaktflächen (17)für eingestapeltes Halbleiterbauteil (2) aufweist.
    [15] Halbleiterbasisbauteil mit einem Kopplungssubstrat(3), wobei das Kopplungssubstrat (3) Außenkontaktflächen (15)für einzu stapelndes Halbleiterbauteil (2) auf seiner Oberseite(5) aufweist, und auf seiner Unterseite (10) eineVerdrahtungsstruktur trägt,die mit einem Halbleiterchip elektrisch verbunden ist, und über Durchkontakteund Verdrahtungsleitungen mit den Außenkontaktflächen (17)elektrisch in Verbindung steht, wobei Metallbahnen (7) vonden Außenkontaktflächen (17) über dieSeitenkanten (8, 9) des Kopplungssubstrats (3)hinausragen und rechtwinklig zur Oberseite (5) in Richtung aufdie Unterseite (10) des Kopplungssubstrats (3) abgewinkeltsind und überdie Unterseite (10) hinausragen, wobei die Metallbahnen(7) eine Metallbeschichtung (11) aufweisen undmit der Metallbeschichtung (11) eine derartige Dicke (D)des Querschnitts aufweisen, dass sie formstabile Flachleiteraußenkontakte(12) des Halbleitermoduls (25) sind.
    [16] Verfahren zur Herstellung eines Kopplungssubstratstreifens(24) mit mehreren Kopplungssubstratpositionen (21)für Halbleiterbauteile(1, 2) mit einer strukturierten Metallschicht(4) auf einer Oberseite (5) eines isolierendenTrägerstreifens(22) und Metallbahnen (7) der strukturierten Metallschicht(4), die abgewinkelt überSeitenbereiche der Kopplungssubstratpositionen (21) desTrägerstreifens(22) hinausragen und eine formstabile Dickenverstärkung zur Bildungvon Flachleiteraußenkontakten(12) der Kopplungssubstrate (3) des Kopplungssubstratstreifens(24) aufweisen, wobei das Verfahren nachfolgende Verfahrensschritteaufweist: – Herstelleneines isolierenden Trägerstreifens(22) mit mehreren Kopplungssubstratpositionen (21); – Einbringenvon Durchgangsöffnungen(23) in den Trägerstreifen(22) in Randbereichen der Kopplungssubstratpositionen,wobei die Breite (b) der Durchgangsöffnungen (23) mindestensder doppelten Länge(l) der zu bildenden Flachleiteraußenkontakte (12) aufweist; – Aufbringeneiner Metallschicht auf den Trägerstreifen(22) unter Abdecken der Breite (b) der Durchgangsöffnungen(23); – Strukturierender Metallschicht (4) unter Bilden von Außenkontaktflächen (17)auf der Oberseite (5) des isolierenden Trägerstreifens(22) und Metallbahnen (7), welche die Breite (b)der Durchgangsöffnungen (23) überspannenund in der Mitte der Durchgangsöffnungen(23) getrennt sind, sowie Leiterbahnen (20), welchedie Metallbahnen (7) mit den Außenkontaktflächen (17)elektrisch verbinden, und Kurzschlussleiterbahnstücken, welchedie Metallbahnen (7) des Trägerstreifens (22)kurzschließen; – Abwinkelnder Metallbahnen (7) in den Durchgangsöffnungen (23) in Richtungauf die Unterseite (10) des Trägerstreifens (22); – Abdeckender Metallstruktur mit einer Schutzschicht (32) auf derOberseite (5) des Trägerstreifens (22)unter Freilassung der Metallbahnen (7); – Aufbringeneiner dicken verstärkendenMetallbeschichtung (11) auf die Metallbahnen (7)unter Bilden von formstabilen Flachleiteraußenkontakten (12); – Entfernender Schutzschicht (32) unter Freilegen der Kurzschlussleiterbahnstücke undEntfernen der Kurzschlussleiterbahnenstücke; – Entfernen der Schutzschicht(32) unter Freilegen der Außenkontaktflächen (17).
    [17] Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,dass das Einbringen von Durchgangsöffnungen (23) in denTrägerstreifen(22) mittels Stanztechnik erfolgt.
    [18] Verfahren nach Anspruch 16 oder Anspruch 17, dadurchgekennzeichnet, dass das Aufbringen einer Metallschicht (4)auf den Trägerstreifen(22) mittels Aufkleben einer Metallfolie (33)erfolgt.
    [19] Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet,dass das Strukturieren der Metallschicht (4) mittels Fotolacktechnikerfolgt.
    [20] Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet,dass der Fotolack fürden Strukturierungsschritt auch als Lötstoppschicht (18)eingesetzt wird.
    [21] Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet,dass das Abwinkeln der Metallbahnen (7) mittels Abkantwerkzeugenerfolgt.
    [22] Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet,dass zum Aufbringen einer Metallbeschichtung (11) auf dieMetallbahnen (7) des Trägerstreifens(22) in ein Galvanik bad getaucht und die Metallbahnen (7) über dieKurzschlussleiterbahnstückemit einer Gleichstromelektrode des Galvanikbads verbunden werden.
    [23] Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet,dass das vor dem Entfernen der Schutzschicht (32) unterFreilegen der Kurzschlussleiterbahnstücke eine strukturierte Fotolackschichtunter Freilassen der Kurzschlussleiterbahnenstücke aufgebracht wird, die dann ätztechnischentfernt werden.
    [24] Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 23, dadurch gekennzeichnet,dass mit einem weiteren Fotolackschritt unter Einsatz von Polyamid,die Außenkontaktflächen (17)freigelegt werden.
    [25] Verfahren zur Herstellung eines Kopplungssubstrats(3) das nachfolgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstelleneines Kopplungssubstratstreifens (24) gemäß einemder Ansprüche16 bis 23, und – Auftrennendes Kopplungssubstratstreifens (24) entlang der Zeilenund/oder der Spalten des Kopplungssubstratstreifens (24)zu einzelnen Kopplungssubstraten (3).
    [26] Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbasisbauteils(26) füreinen Stapel aus Halbleiterbauteilen (1, 2), dasnachfolgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Kopplungssubstrats(3) gemäß Anspruch24; – Herstelleneines Verdrahtungssubstrats (14) mit einem Halbleiterchip(28) auf seiner Oberseite (13) und Kontaktanschlussflächen (29)auf Randbereichen (30, 31) seiner Oberseite (13)sowie Außenkontaktflächen (34)mit Außenkontakten(15) auf seiner Unterseite (10); – Aufbringendes Kopplungssubstrats (3) auf das Verdrahtungssubstrat(14) unter Auflötender Flachleiteraußenkontakte(12) des Kopplungssubstrats (3) auf die Kontaktanschlussflächen (29)des Verdrahtungssubstrats (14).
    [27] Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls(25) mit gestapelten Halbleiterbauteilen (2, 39),das nachfolgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstelleneines Halbleiterbasisbauteils (26) gemäß Anspruch 25, und – Auflöten einesHalbleiterbauteils (2) mit seinen Außenkontakten (16)auf die Außenkontaktflächen (17) desKopplungssubstrats (3) des Halbleiterbasisbauteils (26).
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